2008年6月16日上午，在微电子所多媒体教室，来自中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）技术研发部逻辑电路处处长Waisum WONG（黄威森）受聘浙大兼职教授，信息学院副院长、信电系系主任章献民教授为Waisum WONG博士颁发了浙大兼职教授证书并为其佩戴浙大校徽。

    Waisum Wong博士毕业美国UCF大学，硕士和学士毕业于美国密西西比州立大学电子工程专业。先后在美国Siliconix Inc公司和美国Intel公司工作，其在Intel先后任闪存产品部器件主管、设计及产品设计部高级工程师、RFCD/通信部主管、项目部经理和高级研究员，2005年到中芯国际技术研发部逻辑电路处处长。这次受聘浙江大学兼职教授，将参与浙大研究生院重点建设课程“RFIC及ESD设计”中有关章节的主讲，并将其在Intel和SMIC的工作经验传授给研究生。

    受聘仪式后，Waisum WONG教授给我们带来了一场有关通过提高CMOS的迁移率来增强CMOS器件性能的精彩讲座。他的讲座从集成电路尺寸缩小带来的影响着手，引出了通过提高迁移率来提高电路性能的话题。讲座开始后，WONG教授给我们介绍了基于应力硅在提高CMOS器件性能方面的重要作用并详细阐述了应力硅工作的物理机制和材料选择。同时，也给大家介绍了一些集成电路公司如IBM、INTEL、AMD和NEC为提高CMOS器件性能，在集成电路制造工艺上的特色。WONG教授结合其自身多年的集路方面的工作经验和现有的工业界的集成电路制造技术，为大家展示了常用的目前业界主流的增强器件性能的技术方法，包括STI技术，基于SiGe的PMOS管以及SMT（Stress Memorization Technique）等。讲座中，他还提出了在增强CMOS器件性能方面，提高迁移率是现今主要的方向，而改变应力是挖掘CMOS极限性能的重要手段的观点。

    Waisum WONG热情的回答了在场师生的提问，并就国外和国内在集成电路发展方面的差异进行了热烈讨论并交换意见。

（信息学院供稿）